(苏州-中国，圣何塞-加利福尼亚，2008年5月19日) - 中国一流晶圆专工企业和舰科技（苏州）有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技今日共同宣布，已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0.18um浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。

　　通过与常忆科技的密切合作，和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证，同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。目前该技术已被多家和舰客户所采用并投产。

　　和舰科技市场暨业务副总裁张怀竹先生表示：“此次成功开发0.18um嵌入式闪存记忆体技术，不仅表明了和舰正不断提升在快速成长的嵌入式非挥发性记忆体市场的领先地位，而且体现了我们能为客户提供最具成本优势和可靠度的解决方案。”

　　常忆科技总裁暨首席执行官王筱瑜先生表示，“常忆科技独有的2T-PMOS单元结构专利是体现这项新嵌入式闪存记忆体显著优势的重要因素，例如低功耗，强抗干扰能力以及最小的记忆体面积。最值得一提的技术成就是在-40°C到105°C的温度范围内，以及在20万重复写入/擦除次数的严苛条件后，数据保存时间在高温下至少可达20年。”

　　和舰科技研发处处长林志光博士表示：“这一新的0.18um嵌入式闪存技术与标准的0.18um CMOS工艺完全兼容，使得和舰目前0.18um制程所有的知识产权库和设计单元资料库能够与之实现整合。而且同一个记忆体经客制化可允许多个不同擦除单位的存在，从而提升系统配置的弹性，满足客户在这方面的特殊需求。”

　　林博士指出：“从一些重要的指标诸如使用寿命及其可靠度，耐久力，存取时间，编程速度，擦写速度，功耗，工作电压，性能以及良率来看，该项技术在目前同类技术当中居於领先的地位。它的竞争优势在于，对需求在8兆位元范围内非挥发性内建记忆体的大多数内嵌式系统应用，提供最小的记忆体面积。此外这项工艺具备可升级性，它的下一代工艺基于更先进的制程，目前正在研发当中，预期其单元面积将缩小至少40%。

　　和舰科技总裁徐建华先生表示：“这是一个管理优化和执行确实的项目，通过与常忆科技的紧密合作，我很高兴看到和舰进一步完善了其嵌入式非挥发性工艺技术平台。在蓬勃发展的嵌入式非挥发性记忆体市场中提供令客户满意的解决方案和服务，将有助于提升和舰市场竞争力与巩固市场领导地位。

关于和舰科技(苏州)有限公司

　　和舰科技于2001年11月进驻苏州工业园区，是中国晶圆专工的先驱。以专业的技术为根基，与协力伙伴合作提供完整的产业供应链架构，并提供多种工艺技术与系统单芯片解决方案，目前最尖端的工艺技术为0.13微米工艺。为保持一流的晶圆专工服务，和舰科技将持续地开发并导入先进工艺；此外，和舰科技更致力多元的加值服务，依客户需求与文化理念提供量身定造的商业模式，让客户的产品能在竞争激烈的IC市场中脱颖而出，进而缔造双赢的商业契机。如需获得更多资讯，请访问和舰科技官方网站
http://www.hjtc.com.cn

关于常忆科技有限公司

　　常忆科技是一家为电脑，数字消费和无线网络产品提供JEDEC标准闪存，嵌入式一次性编程(OTP)、多次性编程(MTP)、闪存(Flash)以及电可擦可编程只读存储器(EEPROM)解决方案的IC设计公司。

　　作为一家研发成功P型通道(P-Channel)非挥发性记忆体的先驱设计公司，常忆科技基于其P型通道快閃記憶體的专利技术pFLASH™, 能够提供最高品质、最高耐久力、最低功耗的非挥发性记忆体。常忆科技在全球拥有超过42项的专利。

　　常忆科技1995年成立于加州硅谷的圣何塞，产品销售区域遍布全球。常忆科技已将PFlash与PFusion注册为其所拥有的商标。如需获得更多资讯，请访问常忆科技官方网站。
www.chingistek.com.cn