蚀刻区：用化学或物理方法将预先覆盖在晶圆表面上电路图案的多余部分移除的方式称为蚀刻，进行该步骤的区域即为蚀刻区。

薄膜区：专门沉积“介电层”，“金属层”等导电或不导电薄膜的区域，并兼做晶圆表面器件之平坦化及高（低）温快速热退火制程。

扩散区：在高溫的炉管内把参杂物（扩散源）扩散到晶片中，通过改变其特定区域內掺杂物的类型、深度和PN接面而改变晶片的导电率。

黄光区：利用极高精密度的步进或扫描式对准机，將电路图案曝光到涂好光刻胶的晶片上，就像是照相用的暗房，整個流程必须在黃光环境下，以避免意外曝光。